Zarówno dla badań jakości procesów domieszkowania, jak i badań defektów radiacyjnych, towarzyszących procesowi implantacji, stosuje się szereg metod badawczych, spośród których do najważniejszych należą metody rentgenowskie i mikroskopii elektronowej , Z metod umożliwiających określenie typu defektów radiacyjnych należy wymienić: metody elektronowego rezonansu paramagnetycznego , metody optyczne , metody badań zjawisk kanałowania i rozpraszania cząstek alfa i protonów , metody mikroskopii elektronowej , metody rentgenowskie oraz metody określania głębokich poziomów elektrycznych takie, jak: metoda prądów i pojemności termostymulowanych, metoda nierównowagowych charakterystyk C-U, metoda pomiarów czasów życia, które są przedmiotem ciągłego rozwijania i licznych publikacji. Z metod umożliwiających pomiar rozkładu defektów radiacyjnych towarzyszących procesowi implantacji należy wymienić: metodę elektronowego rezonansu paramagnetycznego połączoną ze zdejmowaniem cienkich warstw , metodę kanałowania jonów , oraz metody mikroskopii elektronowej . Określanie położeń sieciowych zajmowanych przez implantowane atomy przeprowadza się na drodze badań procesów kanałowania i rozpraszania cząstek alfa i protonów . Opis wymienionych metod stosowanych do określania defektów wywołanych domieszkowaniem wykracza poza ramy niniejszej książki. Zainteresowany Czytelnik znajdzie ich szczegóły w cytowanych monografiach i pracach źródłowych.
Przeczytaj także: Domieszkowanie
Proces domieszkowania na drodze implantacji jest prowadzony w próżni w temperaturze zbliżonej do pokojowej, co gwarantuje jego czystość i brak zmian parametrów materiału związanych z procesami wysokotemperaturowymi. Możliwe jest też domieszkowanie na drodze implantacji związków półprzewodnikowych, których dysocjacja w podwyższonych temperaturach bardzo utrudnia domieszkowanie na drodze dyfuzji. Współczesne źródła jonów umożliwiają uzyskanie dowolnych jonów, które po przyspieszeniu są wprowadzane do domieszkowanej płytki; w ten sposób jest możliwe domieszkowanie krzemu jonami azotu lub indu, co jest trudne do osiągnięcia na drodze dyfuzji. Proces implantacji jonów stwarza możliwość domieszkowania poprzez warstwy pasywujące. Grubsze tlenki, warstwy kopiowe, metalizacje stanowią dobre maski i stwarzają możliwość łatwego maskowania obszarów, które nie powinny być domieszkowane. Rozmycie implantowanych jonów pod krawędzią masek jest małe. Daje to możliwość dokładnej kontroli bocznych wymiarów obszarów domieszkowanych, umożliwia ich zmniejszenie, przez co staje się możliwe wykonanie układów niemożliwych do uzyskania na innej drodze. Elektryczne metody omiatania płytek przez wiązkę jonów stwarzają możliwość uzyskania dużej jednorodności i powtarzalności domieszkowania. Procesowi implantacji domieszek towarzyszy powstawanie defektów radiacyjnych. Zjawisko to w zasadzie wpływa ujemnie na jakość warstw domieszkowanych na drodze implantacji. Istnieją jednak możliwości wykorzystania defektów radiacyjnych dla pożądanych zmian właściwości materiałów.
